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IXFB 72N55Q2
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
PLUS 264 TM Outline
g fs
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25
Note 1
40
57
S
C iss
10500
pF
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 1 ? (External)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
1500
230
30
23
58
10
258
65
123
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
R thJC
R thCK
0.13
0.14
K/W
K/W
Terminals:
1 - Gate
2 - Drain (Collector)
3 - Source (Emitter)
4 - Drain (Collector)
Source-Drain Diode
Characteristic Values
Symbol
Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
I S
I SM
V SD
t rr
Q RM
I RM
V GS = 0 V
Repetitive;
pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V, Note 1
I F = 25A
-di/dt = 100 A/ μ s
V R = 100 V
1.2
8
72
288
1.5
250
A
A
V
ns
μ C
A
Note: 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
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